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IS64LF12836E-6.5B3A3

128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM

FEATURES  Internal self-timed write cycle  Individual Byte Write Control and Global Write  Clock controlled, registered address, data and control  Burst sequence control using MODE input  Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining  Common data inputs an

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矽成半导体

更新时间:2026-2-1 23:06:00
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