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IS63LV1024L-12BLI

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT

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ISSI

北京矽成

IS63LV1024L-12BLI

封装/外壳:36-TFBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:36-TFBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 36MINIBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT

DESCRIPTION The ISSIIS63LV1024/IS63LV1024L is a very high-speed, low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary pinout. The IS63LV1024/IS63LV1024L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design t

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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT

DESCRIPTION The ISSIIS63LV1024/IS63LV1024L is a very high-speed, low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary pinout. The IS63LV1024/IS63LV1024L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design t

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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT

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IS63LV1024L-12BLI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS63LV1024L-12BLI

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 12ns 3.3v Async 静态随机存取存储器 3.3v

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-16 20:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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0551+
BGA
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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ISSI, Integrated Silicon Solu
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