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512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL are high-speed, 8M bit static RAMs organized as 512K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance and low p

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

ISSI
更新时间:2025-8-5 23:00:01
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