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512Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM

DESCRIPTION TheISSIIS62WV51216ALL/IS62WV51216BLLarehigh-speed,8MbitstaticRAMsorganizedas512Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowp

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

ISSI
更新时间:2025-5-3 10:30:01
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