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IS62WV12816EBLL-45BLI-TR

封装/外壳:48-TFBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

128Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 18 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 5.4uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62WV12816EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV12816EBLL)  Th

ISSI

矽成半导体

128Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 18 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 5.4uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62WV12816EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV12816EBLL)  Th

ISSI

矽成半导体

更新时间:2025-11-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
24+
TFBGA48(6x8)
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ISSI(美国芯成)
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