型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS62WV12816ALL-70BLI

128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns • CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating – 9 μW (typical) CMOS standby • TTL compatible interface levels • Single power supply – 1.65V--2.2V Vdd (62WV12816ALL) – 2.5V--3.6V Vdd (62WV12816BLL) • Fully static operation: no cl

ISSI

矽成半导体

IS62WV12816ALL-70BLI

封装/外壳:48-TFBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:48-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns • CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating – 9 μW (typical) CMOS standby • TTL compatible interface levels • Single power supply – 1.65V--2.2V Vdd (62WV12816ALL) – 2.5V--3.6V Vdd (62WV12816BLL) • Fully static operation: no cl

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矽成半导体

128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns • CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating – 9 μW (typical) CMOS standby • TTL compatible interface levels • Single power supply – 1.65V--2.2V Vdd (62WV12816ALL) – 2.5V--3.6V Vdd (62WV12816BLL) • Fully static operation: no cl

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矽成半导体

128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

文件:112.01 Kbytes Page:17 Pages

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矽成半导体

IS62WV12816ALL-70BLI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS62WV12816ALL-70BLI

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,70ns,1.65v~2.2v,48 Ball mBGA(6x8 mm), Leadfree

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-20 23:00:00
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