型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS62WV102416BLL-25MLI-TR

封装/外壳:48-TFBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

1M x 16 HIGH-SPEED LOW POWER ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

FEATURES • High-speed access times: 25, 35 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CS1 and OE options • CS1 power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compat

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矽成半导体

1M x 16 HIGH-SPEED LOW POWER ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

FEATURES • High-speed access times: 25, 35 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CS1 and OE options • CS1 power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compat

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1M x 16 HIGH-SPEED LOW POWER ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

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矽成半导体

IS62WV102416BLL-25MLI-TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS62WV102416BLL-25MLI-TR

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 16M(1Mx16) 25ns Async 静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2026-2-5 19:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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