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IS62C1024AL_V01

128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES • High-speed access time: 35, 45 ns • Low active power: 100 mW (typical) • Low standby power: 20 μW (typical) CMOS standby • Output Enable (OE) and two Chip Enable (CE1 and CE2) inputs for ease in applications • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compatibl

ISSI

矽成半导体

更新时间:2025-11-19 23:00:00
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