型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS61WV5128EDBLL-10BLI

512K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

文件:446.55 Kbytes Page:14 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61WV5128EDBLL-10BLI

封装/外壳:36-TFBGA 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:36-TFBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA 集成电路(IC) 存储器

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矽成半导体

IS61WV5128EDBLL-10BLI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS61WV5128EDBLL-10BLI

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 512K x 8 Async 静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2026-2-5 18:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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