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IS61WV25616EDBLL_V01

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

FEATURES • High-speed access time: 8, 10 ns • Low Active Power: 85 mW (typical) • Low Standby Power: 7 mW (typical) CMOS standby • Single power supply — Vdd 2.4V to 3.6V (10 ns) — Vdd 3.3V ± 10% (8 ns) • Fully static operation: no clock or refresh required • Three state outputs • Da

ISSI

矽成半导体

更新时间:2025-11-17 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
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TFBGA48(6x8)
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