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IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR

封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

FEATURES • High-speed access time: 8, 10 ns • Low Active Power: 85 mW (typical) • Low Standby Power: 7 mW (typical) CMOS standby • Single power supply — Vdd 2.4V to 3.6V (10 ns) — Vdd 3.3V ± 10% (8 ns) • Fully static operation: no clock or refresh required • Three state outputs • Da

ISSI

矽成半导体

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

FEATURES • High-speed access time: 8, 10 ns • Low Active Power: 85 mW (typical) • Low Standby Power: 7 mW (typical) CMOS standby • Single power supply — Vdd 2.4V to 3.6V (10 ns) — Vdd 3.3V ± 10% (8 ns) • Fully static operation: no clock or refresh required • Three state outputs • Da

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矽成半导体

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矽成半导体

IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 4Mb(256K x 16) 8ns Async 静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-18 17:20:00
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