型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS61WV25616BLL-10BI

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

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ISSI

矽成半导体

IS61WV25616BLL-10BI

封装/外壳:48-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:48-TFBGA 包装:托盘 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64WV25616ALL/BLL) • High-speed access time: 8, 10, 20 ns • Low Active Power: 85 mW (typical) • Low Standby Power: 7 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64WV25616ALS/BLS) • High-speed access time: 25, 35, 45 ns • Low Active Power: 35 mW (typical) • Low Sta

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矽成半导体

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64WV25616ALL/BLL) • High-speed access time: 8, 10, 20 ns • Low Active Power: 85 mW (typical) • Low Standby Power: 7 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64WV25616ALS/BLS) • High-speed access time: 25, 35, 45 ns • Low Active Power: 35 mW (typical) • Low Sta

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矽成半导体

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

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矽成半导体

IS61WV25616BLL-10BI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS61WV25616BLL-10BI

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-18 11:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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