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IS61WV12816DALL-20BI	128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxx and IS64WV12816DBxx are high-speed, 2,097,152-bit static RAMs organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated usingISSIs high performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-pe	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV12816DALL-20TI	128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxx and IS64WV12816DBxx are high-speed, 2,097,152-bit static RAMs organized as 131,072 words by 16 bits. It is fabricated usingISSIs high performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-pe	ISSI 矽成半导体	ISSI

IS61WV12816DALL-20BI供应商更多...

更新时间：2025-9-28 13:10:00

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IS62WV51216BLL-55TL
IS62WV51216BLL-55TL
2022-7-1
IS62WV12816EBLL-45BLI
IS62WV12816EBLL-45BLI
2021-10-11
IS61SF12832-8.5TQ
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2020-7-13
IS61SF12832-8.5TQ
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2020-7-13
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2020-1-1
IS62C256AL-45TLI进口原装假一赔十
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2018-12-30