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位置：首页 > IC中文资料 > IS61QDB21M36C-250M3

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS61QDB21M36C-250M3

2Mx18, 1Mx36 36Mb QUAD (Burst 2) Synchronous SRAM

FEATURES  1Mx36 and 2Mx18 configuration available.  On-chip Delay-Locked Loop (DLL) for wide data valid window.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Synchronous pipeline read with EARLY write operation.  Double Data Rate (DDR) interface f

ISSI

矽成半导体

IS61QDB21M36C-250M3

封装/外壳：165-LBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA 集成电路（IC） 存储器

ETC

知名厂家

IS61QDB21M36C-250M3I

2Mx18, 1Mx36 36Mb QUAD (Burst 2) Synchronous SRAM

FEATURES  1Mx36 and 2Mx18 configuration available.  On-chip Delay-Locked Loop (DLL) for wide data valid window.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Synchronous pipeline read with EARLY write operation.  Double Data Rate (DDR) interface f

ISSI

矽成半导体

IS61QDB21M36C-250M3L

2Mx18, 1Mx36 36Mb QUAD (Burst 2) Synchronous SRAM

FEATURES  1Mx36 and 2Mx18 configuration available.  On-chip Delay-Locked Loop (DLL) for wide data valid window.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Synchronous pipeline read with EARLY write operation.  Double Data Rate (DDR) interface f

ISSI

矽成半导体

IS61QDB21M36C-250M3LI

2Mx18, 1Mx36 36Mb QUAD (Burst 2) Synchronous SRAM

FEATURES  1Mx36 and 2Mx18 configuration available.  On-chip Delay-Locked Loop (DLL) for wide data valid window.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Synchronous pipeline read with EARLY write operation.  Double Data Rate (DDR) interface f

ISSI

矽成半导体

IS61QDB21M36C-250M3L

封装/外壳：165-LBGA 包装：托盘 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA 集成电路（IC） 存储器

ETC

知名厂家

IS61QDB21M36C-250M3供应商更多...

更新时间：2025-12-16 16:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IS61QDB22M18-250M3I
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深圳市毅创腾电子科技有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳市华来深电子有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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艾睿（深圳）半导体有限公司
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