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IS61QDB21M36-250M3L

36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs

文件:503.76 Kbytes Page:27 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61QDB21M36-250M3L

封装/外壳:165-LBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) QUAD (Burst of 2) Synchronous SRAMs

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ISSI

矽成半导体

IS61QDB21M36-250M3L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS61QDB21M36-250M3L

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 36M(1Mx36) 250ns QUAD Sync 静态随机存取存储器

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2026-2-18 16:31:00
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