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位置：首页 > IC中文资料 > IS61QDB21M18C-300B4I

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS61QDB21M18C-300B4I

1Mx18, 512Kx36 18Mb QUAD (Burst 2) Synchronous SRAM

FEATURES  512Kx36 and 1Mx18 configuration available.  On-chip Delay-Locked Loop (DLL) for wide data valid window.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Synchronous pipeline read with EARLY write operation.  Double Data Rate (DDR) interface

ISSI

矽成半导体

IS61QDB21M18C-300B4

1Mx18, 512Kx36 18Mb QUAD (Burst 2) Synchronous SRAM

FEATURES  512Kx36 and 1Mx18 configuration available.  On-chip Delay-Locked Loop (DLL) for wide data valid window.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Synchronous pipeline read with EARLY write operation.  Double Data Rate (DDR) interface

ISSI

矽成半导体

IS61QDB21M18C-300B4L

1Mx18, 512Kx36 18Mb QUAD (Burst 2) Synchronous SRAM

FEATURES  512Kx36 and 1Mx18 configuration available.  On-chip Delay-Locked Loop (DLL) for wide data valid window.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Synchronous pipeline read with EARLY write operation.  Double Data Rate (DDR) interface

ISSI

矽成半导体

IS61QDB21M18C-300B4LI

1Mx18, 512Kx36 18Mb QUAD (Burst 2) Synchronous SRAM

FEATURES  512Kx36 and 1Mx18 configuration available.  On-chip Delay-Locked Loop (DLL) for wide data valid window.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Synchronous pipeline read with EARLY write operation.  Double Data Rate (DDR) interface

ISSI

矽成半导体

IS61QDB21M18C-300B4I供应商更多...

更新时间：2026-2-17 16:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司
IS61QDB21M36-250M3
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