型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS61LV51216-10T

512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS

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ISSI

矽成半导体

IS61LV51216-10T

512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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矽成半导体

512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS

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矽成半导体

512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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矽成半导体

封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 包装:托盘 描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 包装:托盘 描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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IS61LV51216-10T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS61LV51216-10T

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 10ns 3.3v

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-23 17:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
24+
N/A
16048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
ISSI
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