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IS61LV2568L-8K	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION The ISSI IS61LV2568L is a very high-speed, low power, 262,144-word by 8-bit CMOS static RAM. The IS61LV2568L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low po	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LV2568L-8K	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：242.4 Kbytes Page：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LV2568L-8T	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION The ISSI IS61LV2568L is a very high-speed, low power, 262,144-word by 8-bit CMOS static RAM. The IS61LV2568L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields higher performance and low po	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS61LV2568L-8TL	256K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：242.4 Kbytes Page：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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更新时间：2025-11-20 10:14:00

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2022-9-21
IS61C5128AS-25TLI
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2022-8-10
IS61LV25616AL-10T现货热卖！！！！
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2021-7-7
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产品属性属性值搜索类似制造商: ISSI 产品种类: 静态随机存取存储器存储容量: 4 Mbit 访问时间: 8.5 ns 最大时钟频率: 90 MHz 电源电压-最大: 3.63 V 电源电压-最小: 3.135 V 电源电流—最大值: 230 mA 最小工作温度: 0 C 最大工作温度: + 70 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TQFP-100 数
2020-7-13
IS61SF12832-8.5TQ
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2020-7-13
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2020-1-1