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IS61LF25618EC-7.5TQI

128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM

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矽成半导体

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FEATURES  Internal self-timed write cycle  Individual Byte Write Control and Global Write  Clock controlled, registered address, data and control  Burst sequence control using MODE input  Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining  Common data inputs an

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更新时间:2025-11-23 16:30:00
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