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IS61C67-25N

16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION The ISSI IS61C67 is a high speed, low power, 16384-word bgy 1-bit CMOS static RAM. It is fabricated using ISSIs high performance CMOS double metal technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 15ns maximum.

ISSI

矽成半导体

IS61C67-25N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS61C67-25N

  • 制造商

    ISSI

  • 制造商全称

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述

    16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

更新时间:2025-11-19 11:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
2021+
LFBGA-165(13x15)
499
ISSI(美国芯成)
2447
LFBGA-165(13x15)
315000
144个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长
ISSI,
25+
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ISSI, Integrated Silicon Solu
23+
165-LFBGA13x15
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ISSI
23+
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ISSI Integrated Silicon Solut
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ISSI Integrated Silicon Soluti
22+
165LFBGA (13x15)
9000
原厂渠道,现货配单
ISSI, Integrated Silicon Solut
24+
165-LFBGA(13x15)
56200
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ISSI(美国芯成)
24+
LFBGA165(13x15)
7350
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