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IS61C6416AL_V01

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES IS61C6416AL and IS64C6416AL • High-speed access time: 12 ns, 15ns • Low Active Power: 175 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (typical) CMOS standby IS62C6416AL and IS65C6416AL • High-speed access time: 35 ns, 45ns • Low Active Power: 50 mW (typical) • Low Standby Power: 100 μ

ISSI

矽成半导体

更新时间:2025-11-21 13:36:00
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