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IS46TR16256B-107MBLA1

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture

ISSI

矽成半导体

更新时间:2026-2-5 9:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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