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IS46TR16256AL-15HBLA1

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES ● Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V ● Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V ● High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz ● 8 internal banks for concurrent operation ● 8n-Bit pre-fetch architecture

ISSI

北京矽成

IS46TR16256AL-15HBLA1

封装/外壳:96-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:96-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

更新时间:2025-8-14 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
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TWBGA96(9x13)
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ISSI
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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动态随机存取存储器4G
ISSI, Integrated Silicon Solu
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ISSI(美国芯成)
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