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512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES ● Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V ● Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V ● High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz ● 8 internal banks for concurrent operation ● 8n-Bit pre-fetch architecture

ISSI

矽成半导体

更新时间:2025-11-3 14:26:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
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SMD
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动态随机存取存储器4G
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