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IS46TR16128DL-107MBLA3

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture

ISSI

矽成半导体

更新时间:2026-2-12 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI/芯成
2026+
BGA
54658
百分百原装现货 实单必成
ISSI/芯成
24+
BGA96
880000
明嘉莱只做原装正品现货
ISSI/芯成
2450+
BGA96
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
ISSI
21+
BGA96
9600
21+
ISSI
24+
BGA96
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
ISSI
20+
BGA96
1168
ISSI
24+
BGA96
5000
全新原装正品,现货销售
ISSI
23+
BGA96
20000
ISSI
24+
n/a
25836
新到现货,只做原装进口
ISSI
23+
BGA96
70000
专注配单,只做原装进口现货

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    IS46LR32160B-6BLA1

    2021-6-2
  • IS46TR16256AL-125KBLA2

    4 Gbit FBGA-96 SDRAM - DDR3 动态随机存取存储器 , 2 Gbit SDRAM - DDR2 16 bit 动态随机存取存储器 , FBGA-84 16 bit 动态随机存取存储器 , 4 Gbit SDRAM - DDR3L - 40 C 动态随机存取存储器 , TSOP-54 动态随机存取存储器 , AS4C256M16D4-75 动态随机存取存储器

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    2020-7-9
  • IS45VM16320D-75BLA2

    LPSDRAM AUTO-MOBILE / 32MX16 MSDRAM / BGA-54 / 133 MHZ / -40°C~+105°C / RoHS / 2.5 V / TRAY

    2019-12-16