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IS46R16320D-6TLA1

16Mx32, 32Mx16, 64Mx8 512Mb DDR SDRAM

FEATURES • VDD and VDDQ: 2.5V ± 0.2V (-6) • VDD and VDDQ: 2.6V ± 0.1V (-5) • SSTL_2 compatible I/O • Double-data rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/ received with data, to be used in capturing data at the receiver • DQS

ISSI

矽成半导体

IS46R16320D-6TLA1

封装/外壳:66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm) 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm) 包装:托盘 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

更新时间:2026-1-27 11:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
三年内
1983
只做原装正品
ISSI, Integrated Silicon Solu
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66-TSOP II
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66-TSSOP (szeroko?? 0 400 10
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    LPSDRAM AUTO-MOBILE / 32MX16 MSDRAM / BGA-54 / 133 MHZ / -40°C~+105°C / RoHS / 2.5 V / TRAY

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