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IS46LR16400B

1M x 16Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM

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ISSI

矽成半导体

IS46LR16400B

Mobile DDR SDRAM

ISSI

矽成半导体

1M x 16Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM

Features • JEDEC standard 1.8V power supply. • VDD = 1.8V, VDDQ = 1.8V • Four internal banks for concurrent operation • MRS cycle with address key programs - CAS latency 2, 3 (clock) - Burst length (2, 4, 8, 16) - Burst type (sequential & interleave) • Fully differential clock inputs (CK,

ISSI

矽成半导体

Four internal banks for concurrent operation

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ISSI

矽成半导体

更新时间:2026-1-5 21:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百

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