16Mx32, 32Mx16, 64Mx8 512Mb SDRAM

FEATURES • Clock frequency: 200, 166, 143 MHz • Fully synchronous; all signals referenced to a positive clock edge • Internal bank for hiding row access/precharge • Power supply: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5 • LVTTL interface • Prog

封装/外壳：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 包装：托盘 描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II 集成电路（IC） 存储器

动态随机存储器(DRAM)

封装/外壳：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II 集成电路（IC） 存储器