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128MX8, 64MX16 1Gb DDR3 SDRAM WITH ECC

FEATURES  Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V  High speed data transfer rates with system frequency up to 800 MHz  8 internal banks for concurrent operation  8n-bit pre-fetch architecture  Programmable CAS Latency  Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2  Programmable

ISSI

矽成半导体

128MX8, 64MX16 1Gb DDR3 SDRAM WITH ECC

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ISSI

矽成半导体

更新时间:2025-12-13 15:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
2021+
TWBGA-78(10x14)
499
ISSI(美国芯成)
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原装正品,力挺实单
ISSI, Integrated Silicon Solut
/ROHS.original
96-LWBGA(10x14)
6291
﹤原装元器件﹥现货特价/供应元器件代理经销。欢迎咨

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