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IS43TR16512BL-125KBL

1Gx8, 512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture •

ISSI

矽成半导体

IS43TR16512BL-125KBL

封装/外壳:96-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

1Gx8, 512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture •

ISSI

矽成半导体

封装/外壳:96-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

更新时间:2025-12-15 17:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
2021+
TWBGA-96(10x14)
499
NA
23+
NA
26094
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业
ISSI
26+
96-TFBGA
60000
只有原装,可BOM表配单
ISSI/芯成
24+
BGA96
161708
明嘉莱只做原装正品现货
ISSI
24+
FBGA-96
3685
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!!
ISSI
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
ISSI(美国芯成)
24+
TWBGA-96(10x14)
22048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
ISSI(美国芯成)
2526+
BGA-96
50000
只做原装优势现货库存,渠道可追溯
ISSI
2023+
BGA96
6895
原厂全新正品旗舰店优势现货
ISSI
23+
BGA96
20000

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