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IS43TR16512BL-107MBLI

1Gx8, 512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture •

ISSI

矽成半导体

IS43TR16512BL-107MBLI

封装/外壳:96-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

1Gx8, 512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture •

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矽成半导体

更新时间:2025-12-15 17:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
26+
96-TFBGA
60000
只有原装,可BOM表配单
ISSI Integrated Silicon Solut
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96-TFBGA
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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