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256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture

ISSI

矽成半导体

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture

ISSI

矽成半导体

封装/外壳:96-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:96-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

更新时间:2025-12-18 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
24+
BGA
5000
全新原装正品,现货销售
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24+
BGA
5000
十年沉淀唯有原装
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22+
BGA96
20000
公司只做原装 品质保障
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BGA96
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
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电联咨询
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公司现货,提供拆样技术支持
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原厂原装,价格优势,欢迎洽谈!
ISSI(美国芯成)
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96-TFBGA
15048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

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