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IS43LR32320B

8M x 32Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM

文件:2.29066 Mbytes Page:47 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43LR32320B

Mobile DDR SDRAM

ISSI

矽成半导体

封装/外壳:90-LFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90LFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:90-LFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90LFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

1Gb (x16, x32) Mobile DDR SDRAM

Features • JEDEC standard 1.8V power supply. • VDD = 1.8V, VDDQ = 1.8V • Four internal banks for concurrent operation • MRS cycle with address key programs -CAS latency 2, 3 (clock) -Burst length (2, 4, 8, 16) -Burst type (sequential & interleave) • Fully differential clock inputs (CK, /CK

ISSI

矽成半导体

更新时间:2026-1-3 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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