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IS43LR16160G

Fully differential clock inputs

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ISSI

矽成半导体

IS43LR16160G

Mobile DDR SDRAM

ISSI

矽成半导体

封装/外壳:60-TFBGA 包装:管件 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:60-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

ISSI

矽成半导体

Fully differential clock inputs

文件:1.95088 Mbytes Page:45 Pages

ISSI

矽成半导体

更新时间:2025-12-15 18:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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ISSI(美国芯成)
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