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IS43DR16640C

1.8V DDR2 SDRAM

·Single supply voltage of 1.8V ± 0.1V\n·SSTL_18 compatible inputs\n·Data masking per byte on Write commands\n·Programmable burst length of 4 or 8\n·Programmable CAS Latency of 3, 4, 5 or 6\n·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes\n·OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)\n·ODT (On Die Termination) s

ISSI

矽成半导体

IS43DR16640C

Differential data strobe

文件:1.5625 Mbytes Page:49 Pages

ISSI

矽成半导体

封装/外壳:84-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:84-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA 集成电路(IC) 存储器

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知名厂家

更新时间:2026-5-24 9:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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支持任何机构检测 只做原装正品

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