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IS4346TR16128C

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

FEATURES  Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V  Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V  High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz  8 internal banks for concurrent operation  8n-Bit pre-fetch architecture  P

ISSI

矽成半导体

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

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ISSI

矽成半导体

更新时间:2025-11-4 20:53:00
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