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IS42VM32200M

Mobile/Low Voltage SDR SDRAM

ISSI

矽成半导体

封装/外壳:90-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 4Mx16, 133Mhz, RoHS

ISSI

矽成半导体

封装/外壳:90-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 2Mx32, 166Mhz, RoHS

ISSI

矽成半导体

512K x 32Bits x 4Banks Low Power Synchronous DRAM

文件:284.64 Kbytes Page:27 Pages

ISSI

矽成半导体

更新时间:2026-1-2 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
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TFBGA90(8x13)
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INTEGRATEDSILICONSOLUTION
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ISSI
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ISSI存储芯片在售

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