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IS42VM16800H-6BLI-TR

封装/外壳:54-TFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

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IS42VM16800H-6BLI-TR

动态随机存取存储器 128M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 8Mx16, 166Mhz, RoHS

ISSI

矽成半导体

2M x 16Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

文件:854.04 Kbytes Page:34 Pages

ISSI

矽成半导体

更新时间:2025-9-30 22:59:00
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