型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS42S83200B

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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ISSI

矽成半导体

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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ISSI

矽成半导体

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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ISSI

矽成半导体

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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ISSI

矽成半导体

封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 包装:托盘 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 包装:托盘 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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ISSI

矽成半导体

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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ISSI

矽成半导体

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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ISSI

矽成半导体

256 Mb Synchronous DRAM

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ISSI

矽成半导体

256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM

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ISSI

矽成半导体

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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ISSI

矽成半导体

32Meg x 8, 16Meg x16 256Mb SYNCHRONOUS DRAM

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ISSI

矽成半导体

IS42S83200B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS42S83200B

  • 功能描述

    动态随机存取存储器 256M 3.3v 32Mx8 166MHz

  • RoHS

  • 制造商

    ISSI

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织

    1 M x 16

  • 封装/箱体

    SOJ-42

  • 存储容量

    16 MB

  • 访问时间

    50 ns

  • 电源电压-最大

    7 V

  • 电源电压-最小

    - 1 V

  • 最大工作电流

    90 mA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 16:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
23+
54-TSOPII
65480
UNTERSIL
SOP
370
正品原装--自家现货-实单可谈
ISSI/芯成
24+
TSOP54
28875
郑重承诺只做原装进口现货
ISSI Integrated Silicon Soluti
22+
54TSOP II
9000
原厂渠道,现货配单
ISSI
23+
TSOP54
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
ISSI
TSOP54
125000
一级代理原装正品,价格优势,长期供应!
ISSI
2016+
TSOP54
9000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ISSI
2023+
54-TSOPII
50000
原装现货
ISSI, Integrated Silicon Solu
23+
54-TSOP II
7300
专注配单,只做原装进口现货
UNTERSIL
23+
SOP
7000

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