型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS42S81600E-6TL

16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:934.55 Kbytes Page:61 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S81600E-6TL

封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 包装:托盘 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

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ISSI

矽成半导体

封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 包装:托盘 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

IS42S81600E-6TL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS42S81600E-6TL

  • 功能描述

    动态随机存取存储器 128M(8Mx16) 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

  • RoHS

  • 制造商

    ISSI

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织

    1 M x 16

  • 封装/箱体

    SOJ-42

  • 存储容量

    16 MB

  • 访问时间

    50 ns

  • 电源电压-最大

    7 V

  • 电源电压-最小

    - 1 V

  • 最大工作电流

    90 mA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-20 17:44:00
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