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IS42S32400D

4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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ISSI

矽成半导体

IS42S32400D

4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

封装/外壳:90-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:86-TFSOP(0.400",10.16mm 宽) 包装:托盘 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

OVERVIEW ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input.The 128Mb SDRAM is organized in 1Meg x 32 bit x 4 Banks. FEATURES • Clock frequency: 166, 143, 125, 100 MHz • Fully s

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16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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ICSI

16Meg x 8, 8Meg x16 & 4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM

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1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM

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IS42S32400D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS42S32400D

  • 制造商

    ISSI

  • 制造商全称

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述

    4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

更新时间:2025-11-20 17:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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