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IS42S16160B

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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北京矽成

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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封装/外壳:54-LFBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54LFBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:54-LFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54LFBGA 集成电路(IC) 存储器

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256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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256 Mb Single Data Rate Synchronous DRAM

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4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM

DESCRIPTION The IC42S16160 are high-speed 256M-bits synchronous dynamic random-access memories, organized as 4M x 16 x 4 (word x bit x bank), respectively. FEATURES • Single 3.3V (± 0.3V) power supply • High speed clock cycle time -6: 166MHz, -7: 133MHz • Fully synchronous operation reference

ICSI

IS42S16160B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS42S16160B

  • 制造商

    ISSI

  • 制造商全称

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述

    256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

更新时间:2025-8-8 23:00:00
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