IRLML2803TR价格

参考价格:¥0.4550

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRLML2803TR

Generation VTechnology UltraLowOn- Resistance

Features VDS (V) = 30V RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

IRLML2803TR

MOSFET

Features VDS (V) = 30V RDS(ON)

EVVOSEMI

翊欧

Generation V Technology, Ultra Low On-Resistance

IRF

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.07144 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON ARRAYS

HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON ARRAYS Featuring continuous load current ratings to 500 mA for each of the drivers, the Series ULN28xxA/LW and ULQ28xxA/LW high voltage, high-current Darlington arrays are ideally suited for interfacing between low-level logic circuitry and multiple periphera

ALLEGRO

975 MHz Center Frequency

文件:35.61 Kbytes Page:2 Pages

KR

KR Electronics, Inc.

Relampable Incandescent Indicator Light

文件:115.81 Kbytes Page:1 Pages

VCC

Visual Communications Company

Shorty Bushings

文件:102.78 Kbytes Page:1 Pages

HeycoHeyco.

海科

Thin Panel Bushings

文件:117.56 Kbytes Page:1 Pages

HeycoHeyco.

海科

IRLML2803TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRLML2803TR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-11 19:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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NK/南科功率
SOT-23
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国产南科平替供应大量

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