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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRLI620GPBF | HEXFETPowerMOSFET Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-indu | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IRLI620GPBF | PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  | |
DCaxialfans 文件：375.69 Kbytes Page：3 Pages | EBMPAPST ebm-papst |  | | |
DCaxialfans 文件：505.68 Kbytes Page：3 Pages | EBMPAPST ebm-papst | | | |
LowProfile 文件：146.94 Kbytes Page：2 Pages | OSCILENT Oscilent Corporation |  | | |
DCaxialfans 文件：430.87 Kbytes Page：3 Pages | EBMPAPST ebm-papst | | | |
SuperSOT??80VNPNSILICONLOWSATURATIONTRANSISTOR 文件：240.96 Kbytes Page：6 Pages | Zetex Zetex Semiconductors |  | |
IRLI620GPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRLI620GPBF
- 功能描述
MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
vishay |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VB |
2019 |
TO-220F |
55000 |
绝对原装正品假一罚十! |
|||
VISHAY |
23+ |
TO220 |
7750 |
全新原装优势 |
|||
Vishay Siliconix |
21+ |
TO2203 Isolated Tab |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IR |
23+ |
NA/ |
3445 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
VishayIR |
07+/08+ |
TO-220F |
256 |
||||
仙童 |
05+ |
TO-262 |
2500 |
原装进口 |
|||
IR |
TO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
VBSEMI |
19+ |
TO-220F |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
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