IRL2910PBF价格

参考价格:¥7.7131

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRL2910PBF

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.026廓 , ID = 55A )

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRL2910PBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:1.54679 Mbytes Page:9 Pages

IRF

IRL2910PBF

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:981.62 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:1.54679 Mbytes Page:9 Pages

IRF

875 MHz Center Frequency

文件:44.44 Kbytes Page:2 Pages

KR

KR Electronics, Inc.

Tiny OTG Adapter - USB Micro to USB

文件:253.58 Kbytes Page:3 Pages

Adafruit

10 MHz BIPOLAR LOGARITHMIC AMPLIFIER

文件:399.66 Kbytes Page:6 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

130A竊?00V N-CHANNEL MOSFET

文件:286.95 Kbytes Page:6 Pages

KIA

可易亚半导体

Zero Drift operational amplifiers

文件:385.3 Kbytes Page:15 Pages

AKM

旭化成微电子

IRL2910PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL2910PBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 48A 93.3nC 260mOhm LogLvAB

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-17 18:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
1929/928;1926;1835
N/A
4000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON
2450+
TO220
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
VISHAY
24+
TO-220
12000
VISHAY专营进口原装现货假一赔十
Infineon/英飞凌
24+
TO-220(TO-220-3)
25000
原装正品,假一赔十!
INFINEON
21+
标准封装
85
保证原装正品,需要联系张小姐 13544103396 微信同号
22+
5000
Infineon/英飞凌
23+
TO-220(TO-220-3)
12700
买原装认准中赛美
INFINEON
25+
TO-220
918000
明嘉莱只做原装正品现货
IR(国际整流器)
24+
N/A
12088
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
INFINEON/英飞凌
25+
原厂封装
10280
原厂授权一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力!

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