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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFZ34NLPBF | HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide | IRF |   | |
IRFZ34NLPBF | ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：1.23056 Mbytes Page：10 Pages | KERSEMI | |
IRFZ34NLPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ34NLPBF
- 功能描述
MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-19 16:30:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-262-3 |
285 |
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IR |
TO-220 |
3200 |
原装长期供货! |
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IR |
25+ |
TO-220 |
7 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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IR |
07+ |
原厂原装 |
5419 |
自己公司全新库存绝对有货 |
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IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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IR |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
IR |
2015+ |
TO-220 |
16898 |
专业代理原装现货,特价热卖! |
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Infineon Technologies |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IR |
24+ |
TO-262 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
IRFZ34NLPBF规格书下载地址
IRFZ34NLPBF参数引脚图相关
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