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IRFZ34EPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p

IRF

IRFZ34EPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFZ34EPBF

  • 功能描述

    MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 30nC

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
3409
原装现货,当天可交货,原型号开票
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10+
TO-220
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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860000
明嘉莱只做原装正品现货
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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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原厂原装
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只做全新原装真实现货供应
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17+
TO-220F
6200
Infineon Technologies
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
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24+
TO-220
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

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