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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFZ24NSPBF | HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IRFZ24NSPBF | isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTO-263(D2PAK)packaging •Surfacemount •Highspeedswitching •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperationz •APPLICATIONS •Switchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
IRFZ24NSPBF | Advanced Process Technology 文件：680.17 Kbytes Page：11 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
Advanced Process Technology 文件：680.17 Kbytes Page：11 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
IRFZ24NSPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ24NSPBF
- 功能描述
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 70mOhms 13.3nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
D2-PAK |
9150 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
IR |
21+ |
D2-pak |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
IR |
23+ |
D2PAK |
90000 |
一定原装房间现货 |
|||
IR |
2020+ |
TO263 |
40 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
VBsemi |
2218+ |
TO263 |
2631 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
IR |
12+ |
D2-pak |
11555 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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IR |
2020+ |
TO263 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO263 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IRFZ24NSPBF参数引脚图相关
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2019-11-1
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