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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFZ24NSPBF | HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide | IRF |   | |
IRFZ24NSPBF | isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With TO-263(D2PAK) packaging • Surface mount • High speed switching • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz • APPLICATIONS • Switching applications | ISC 无锡固电 | | |
IRFZ24NSPBF | Advanced Process Technology 文件：680.17 Kbytes Page：11 Pages | IRF | | |
Advanced Process Technology 文件：680.17 Kbytes Page：11 Pages | IRF | |
IRFZ24NSPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ24NSPBF
- 功能描述
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 70mOhms 13.3nC
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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IR |
24+ |
NA/ |
487 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
IR |
23+ |
NA |
156 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
IR |
25+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
IR |
24+ |
D2-PAK |
9150 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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IR |
25+ |
TO263 |
40 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
IR |
22+ |
D2-PAK |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO263 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IR |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原装正品现货 |
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2019-11-1
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