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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFZ24A | ADVANCED POWER MOSFET FEATURES ♦Avalanche Rugged Technology ♦Rugged Gate Oxide Technology ♦Lower Input Capacitance ♦Improved Gate Charge ♦Extended Safe Operating Area ♦175°C Operating Temperature ♦Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS= 60V ♦Lower RDS(ON): 0.050µ(Typ.) | Fairchild 仙童半导体 |   | |
IRFZ24A | ADVANCED POWER MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | |
IRFZ24A产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ24A
- 制造商
FAIRCHILD
- 制造商全称
Fairchild Semiconductor
- 功能描述
ADVANCED POWER MOSFET
更新时间：2025-11-20 14:45:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/VISHAY |
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IRFZ24A规格书下载地址
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