型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFU3505PBF

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

IRFU3505PBF

AUTOMOTIVE MOSFET

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KERSEMI

IRFU3505PBF

AUTOMOTIVE MOSFET

文件:4.25506 Mbytes Page:11 Pages

KERSEMI

IRFU3505PBF

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.68066 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Customer Specification

Construction 1) Component 1 5 X 1 COND a) Conductor 22 (7/30) AWG TC 0.030 b) Insulation 0.016 Wall, Nom. PVC 0.062 (1) Color(s) Cond Color Cond Color Cond Color 1 BROWN 3 ORANGE 5 GREEN 2 RED 4 YELLOW 2) Cable Assembly 5 Components assembled parallel. 0.062 +/- 0.002 x 0.310 +/- 0.010

ALPHAWIRE

35 AMP CONTROLLED AVALANCHE SILICON BRIDGE RECTIFIER

35 AMP CONTROLLED AVALANCHE SILICON BRIDGE RECTIFIER

Fuji

富士通

Linear Hall Sensor

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AHNJ

艾驰电子

AM3517, AM3505 Sitara??Processors

文件:2.0896 Mbytes Page:223 Pages

TI

德州仪器

ARM Microprocessor

文件:2.13544 Mbytes Page:184 Pages

TI

德州仪器

IRFU3505PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFU3505PBF

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-22 19:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
08+
TO-251
300
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
21+
TO-251
10000
只做原装,质量保证
IR
23+
TO-251(I-PAK)
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
25+
TO251
20300
IR原装特价IRFU3505PBF即刻询购立享优惠#长期有货
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TO252-3
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VBSEMI/微碧半导体
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TO-251
1714
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2021+
TO-251
7600
原装现货,欢迎询价

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